New Product
SiA533EDJ
Vishay Siliconix
P-CHANNEL TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
100
Limited by R DS(on) *
10
100 μs
1
1 ms
10 ms
100 ms
1 s, 10 s
0.1
T A = 25 °C
DC
Single P u lse
BVDSS Limited
0.01
0.1
1
10
100
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
* V GS > minim u m V GS at w hich R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
12
8
10
6
8
6
4
2
0
Package Limited
4
2
0
0
25
50
75
100
125
150
25
50
75
100
125
150
T C - Case Temperat u re (°C)
Current Derating*
T C - Case Temperat u re (°C)
Power Derating
* The power dissipation P D is based on T J(max) = 150 °C, using junction-to-case thermal resistance, and is more useful in settling the upper
dissipation limit for cases where additional heatsinking is used. It is used to determine the current rating, when this rating falls below the package
limit.
www.vishay.com
10
Document Number: 65706
S10-0214-Rev. A, 25-Jan-10
相关PDF资料
SIA777EDJ-T1-GE3 MOSFET N/P-CH 20V PPAK SC70-6L
SIA811DJ-T1-GE3 MOSFET P-CH 20V 4.5A SC70-6
SIA814DJ-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 4.5A SC70-6
SIA911EDJ-T1-GE3 MOSFET P-CH DL 20V PWRPAK SC70-6
SIA914DJ-T1-GE3 MOSFET DL N-CH 20V PPAK SC70-6
SIA917DJ-T1-GE3 MOSFET P-CH DL 20V PWRPAK SC70-6
SIB406EDK-T1-GE3 MOSFET N-CH D-S 20V SC-75-6
SIB408DK-T1-GE3 MOSFET N-CH D-S 30V PPAK SC75-6L
相关代理商/技术参数
SIA60T 制造商:Xytronic Industries 功能描述:60W Replacement Soldering Iron Assembly
SIA777EDJ-T1-GE3 功能描述:MOSFET N/P-CH 20V PPAK SC70-6L RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:TrenchFET® 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR
SIA778DJ 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 12 V and 20 V (D-S) MOSFETs
SIA778DJ-T1-GE3 功能描述:MOSFET 2N-CH 12V/20V SC70-6 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:TrenchFET® 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR
SI-A8000/3600-1.8 制造商:DIOTEC 制造商全称:Diotec Semiconductor 功能描述:High Voltage Silicon Rectifier Diodes
SIA810DJ-T1-E3 功能描述:MOSFET 20V 4.5A 6.5W 53mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SIA810DJ-T1-GE3 功能描述:MOSFET 20V 4.5A 6.5W 53mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SIA811ADJ-T1-GE3 功能描述:MOSFET 20V 4.5A 6.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube